漢高LOCTITE®半燒結銀芯片粘接材料助力800G光模塊沖向(xiàng)元宇宙賽道(dào)
2021下半年,元宇宙成(chéng)爲科技圈和資本圈的大熱話題,10月底Facebook甚至爲元宇宙更換了公司名字,而今年也被(bèi)冠以“元宇宙元年“的稱号。
元宇宙整合多種(zhǒng)高新科技進(jìn)行虛拟和現實的網絡融合,其沉浸式的虛拟生活體驗包羅萬象,將(jiāng)會(huì)對(duì)硬件設施尤其是底層數據傳輸提出更高的要求,比如光通信。
元宇宙的支撐技術之一
“光通信 ”
元宇宙需要龐大的數據流量和帶寬做支持,從而提供高速、低延時(shí)的實時(shí)流暢體驗,因此對(duì)通信網絡,光模塊等相關産業鏈提出了更高的技術要求。光模塊是光通信的核心器件,是將(jiāng)IT設備中的電信号轉化爲光信号,之後(hòu)通過(guò)光纖進(jìn)行短中長(cháng)距傳輸的光電轉化器件,也是光通信産業鏈中遊關鍵節點。
數據中心網絡在5G、雲計算等大流量技術的驅動下帶動光通信行業更高的速率,更大的容量。
根據Lightcounting預測,随著(zhe)全球數通市場的快速發(fā)展,800G的光模塊需求將(jiāng)進(jìn)一步提升,2026年有望成(chéng)爲主導型号。目前,繼200G,400G高速光傳輸系統商用後(hòu),不少知名廠商開(kāi)發(fā)推出了800G的光模塊産品。
800G光模塊的散熱挑戰
800G光模塊緊湊的結構設計,不斷增大的激光器和驅動芯片功率,對(duì)散熱提出了更高的挑戰。電子互聯材料是連接半導體晶體管和元器件的關鍵材料,起(qǐ)到導電和導熱的作用,影響元器件電路導通、功能(néng)實現及穩定性。
而燒結技術通過(guò)高溫使材料表面(miàn)原子互相擴散,從而形成(chéng)緻密結構的過(guò)程,也稱之爲“低溫燒結技術”。加入納米銀粒子的低溫燒結技術大大提升了導熱及導電性能(néng),可滿足對(duì)于第三代半導體高功率器件的電子互聯應用。
漢高LOCTITE®
ABLESTIK ABP 8068TB
半燒結銀芯片粘接材料
産品性能(néng)
爲芯片粘接提供了一種(zhǒng)無鉛(LEAD FREE)的替代方案,适用于高功率密度半導體封裝, 符合RoHS要求。
絕佳電氣及導熱性能(néng);
- 導熱系數範圍30W/mK-100W/ mK
- 在銀、銅和鎳钯金引線框架的封裝内電阻更低的熱阻(Rth)- 0.5K/W。
無需高溫壓力,在175度至200度溫度範圍下低溫燒結并且粘接力穩定。
在銀、銅、鎳钯金、金等多種(zhǒng)材質的界面(miàn)下适用更寬泛的芯片粘結尺寸:從1*1mm至8*8mm(Die Size)不等。
漢高半燒結銀材料較普通銀材料有更全面(miàn)的導熱和可操作性能(néng)
操作性能(néng)
使用制程簡便,與普通導電膠工藝相似。
廣泛的可加工性:可實現長(cháng)達24小時(shí)的連續點膠時(shí)間、2小時(shí)開(kāi)放時(shí)間、4小時(shí)停留時(shí)間。
固化過(guò)程中有效減少樹脂(RBO)滲出。
經(jīng)過(guò)2-6小時(shí)固化,通過(guò)X-ray等設備發(fā)現該材料幾乎無空洞
該電子材料結合了性能(néng)、可靠性和可加工性。對(duì)于那些希望找到焊料的無鉛替代品(無需昂貴或複雜的加工,又能(néng)确保與傳統材料同等或更優的性能(néng))的封裝而言,LOCTITE® ABLSTIK ABP 8068TB産品可以全面(miàn)滿足他們的需求,同樣(yàng)也爲實現第三代半導體功率的電子互聯提供絕佳解決方案。
2021下半年,元宇宙成(chéng)爲科技圈和資本圈的大熱話題,10月底Facebook甚至爲元宇宙更換了公司名字,而今年也被(bèi)冠以“元宇宙元年“的稱号。
元宇宙整合多種(zhǒng)高新科技進(jìn)行虛拟和現實的網絡融合,其沉浸式的虛拟生活體驗包羅萬象,將(jiāng)會(huì)對(duì)硬件設施尤其是底層數據傳輸提出更高的要求,比如光通信。
“光通信 ”
元宇宙需要龐大的數據流量和帶寬做支持,從而提供高速、低延時(shí)的實時(shí)流暢體驗,因此對(duì)通信網絡,光模塊等相關産業鏈提出了更高的技術要求。光模塊是光通信的核心器件,是將(jiāng)IT設備中的電信号轉化爲光信号,之後(hòu)通過(guò)光纖進(jìn)行短中長(cháng)距傳輸的光電轉化器件,也是光通信産業鏈中遊關鍵節點。
數據中心網絡在5G、雲計算等大流量技術的驅動下帶動光通信行業更高的速率,更大的容量。
根據Lightcounting預測,随著(zhe)全球數通市場的快速發(fā)展,800G的光模塊需求將(jiāng)進(jìn)一步提升,2026年有望成(chéng)爲主導型号。目前,繼200G,400G高速光傳輸系統商用後(hòu),不少知名廠商開(kāi)發(fā)推出了800G的光模塊産品。
800G光模塊的散熱挑戰
800G光模塊緊湊的結構設計,不斷增大的激光器和驅動芯片功率,對(duì)散熱提出了更高的挑戰。電子互聯材料是連接半導體晶體管和元器件的關鍵材料,起(qǐ)到導電和導熱的作用,影響元器件電路導通、功能(néng)實現及穩定性。
而燒結技術通過(guò)高溫使材料表面(miàn)原子互相擴散,從而形成(chéng)緻密結構的過(guò)程,也稱之爲“低溫燒結技術”。加入納米銀粒子的低溫燒結技術大大提升了導熱及導電性能(néng),可滿足對(duì)于第三代半導體高功率器件的電子互聯應用。
漢高LOCTITE®
ABLESTIK ABP 8068TB
半燒結銀芯片粘接材料
産品性能(néng)
爲芯片粘接提供了一種(zhǒng)無鉛(LEAD FREE)的替代方案,适用于高功率密度半導體封裝, 符合RoHS要求。
絕佳電氣及導熱性能(néng);
- 導熱系數範圍30W/mK-100W/ mK
- 在銀、銅和鎳钯金引線框架的封裝内電阻更低的熱阻(Rth)- 0.5K/W。
無需高溫壓力,在175度至200度溫度範圍下低溫燒結并且粘接力穩定。
在銀、銅、鎳钯金、金等多種(zhǒng)材質的界面(miàn)下适用更寬泛的芯片粘結尺寸:從1*1mm至8*8mm(Die Size)不等。
漢高半燒結銀材料較普通銀材料有更全面(miàn)的導熱和可操作性能(néng)
操作性能(néng)
使用制程簡便,與普通導電膠工藝相似。
廣泛的可加工性:可實現長(cháng)達24小時(shí)的連續點膠時(shí)間、2小時(shí)開(kāi)放時(shí)間、4小時(shí)停留時(shí)間。
固化過(guò)程中有效減少樹脂(RBO)滲出。
經(jīng)過(guò)2-6小時(shí)固化,通過(guò)X-ray等設備發(fā)現該材料幾乎無空洞
該電子材料結合了性能(néng)、可靠性和可加工性。對(duì)于那些希望找到焊料的無鉛替代品(無需昂貴或複雜的加工,又能(néng)确保與傳統材料同等或更優的性能(néng))的封裝而言,LOCTITE® ABLSTIK ABP 8068TB産品可以全面(miàn)滿足他們的需求,同樣(yàng)也爲實現第三代半導體功率的電子互聯提供絕佳解決方案。